Nalazite se
  • DRAM
Ključna riječ

DRAM

Možda vas zanima: memorija Samsung
Samsung lansira prvi LPDDR5X DRAM na svijetu
LPDDR5X 

Samsung lansira prvi LPDDR5X DRAM na svijetu

Južnokorejska tvrtka kaže da će se novi DRAM moći koristiti u telefonima, tabletima i laptopima.

Corsair lansira prvi svjetski DDR4 4866 DRAM
LPX DDR4 

Corsair lansira prvi svjetski DDR4 4866 DRAM

Nova memorija dolazi u kitu od 2x8 GB, a namijenjena je ponajviše 3. generaciji AMD Ryzena.

DRAM memorija pojeftinila no ne i NAND
DRAMeXchange 

DRAM memorija pojeftinila no ne i NAND

NAND memorija nije pojeftinila zbog nestašice u Toshibinim tvornicama.

DRAM pojeftinjuje za 10 posto
Memorija 

DRAM pojeftinjuje za 10 posto

DRAMeXchange predviđa da će u prvom kvartalu 2019. doći do značajnog pada cijena DRAM memorije.

ePoP memorijski čipovi kombiniraju DRAM i NAND Flash
Samsung 

ePoP memorijski čipovi kombiniraju DRAM i NAND Flash

Samsung je započeo masovnu proizvodnju ePoP memorijskih čipova visoke gustoće za pametne telefone.

Najnapredniji 20 nm 4Gb DDR3 u masovnoj proizvodnji
Samsung 

Najnapredniji 20 nm 4Gb DDR3 u masovnoj proizvodnji

Samsung je danas objavio kako je pokrenuo masovnu proizvodnju 4-gigabitnog DDR3 DRAM-a u 20 nm tehnologiji.

Cijene DRAM memorije narasle za 27%
Požar 

Cijene DRAM memorije narasle za 27%

Nakon velikog požara 4. rujna koji je oštetio FAB tvornicu u Kini, cijene DRAM memorije su u stalnom rastu.

Cijene DRAM memorije skaču
IC Insights 

Cijene DRAM memorije skaču

Tržišni analitičari ukazuju kako je došlo do velikog tržišnog preokreta u vezi cijena DRAM memorije.

Počinje proizvodnja 20nm 4Gb LPDDR3 mobilnog DRAM-a
Samsung 

Počinje proizvodnja 20nm 4Gb LPDDR3 mobilnog DRAM-a

Samsung je objavio početak proizvodnje nove mobilne memorije rađene u 20 nanometarskoj tehnologiji.

video
Hybrid Memory Cube za propusnost do 320 GB/s [VIDEO]
HMC 

Hybrid Memory Cube za propusnost do 320 GB/s [VIDEO]

HMC konzorcij izdao specifikacije svoje tehnologije koja će omogućiti proizvodnju najučinkovitije memorije.